スパッタリングとは、10⁰〜10^-2PaのArガス雰囲気の真空中で、高電圧を印加すると、グロー放電によりArガスは加速された電子と衝突して正イオン化し、こうして出来た高エネルギーのイオンが高速で陰極であるターゲットに衝突することにより、ターゲットの構成原子を飛び出させ、製品表面に付着させて被膜を形成する技術です。導入ガスに窒素や炭化水素系ガスを用いることにより、窒化物や炭化物などの被膜も形成することが可能です。

イオンプレーティングとは、真空中にArガスを導入し、高電圧の印加によりプラズマを発生させ、金属あるいはセラミックスを抵抗加熱あるいは電子ビームなどにより蒸発した粒子をイオン化させて高エネルギー状態とし、製品表面に被膜を形成させる技術です。導入ガスに窒素や炭化水素系ガスを用いることにより、窒化物や炭化物などの被膜も形成することが可能です。

	真空蒸着		スパッタリング	イオンプレーティング
	抵抗加熱	電子ビーム		抵抗加熱	電子ビーム
粒子エネルギー	0.1〜1eV		0.1〜10eV	0.1〜1000eV
コーティングの可否
高融点金属	不可能	可能	可能	不可能	可能
低融点金属	可能	可能	可能	可能	可能
高融点酸化物	不可能	可能	可能	不可能	可能
付着性	良い		かなり良い	非常に良い
つきまわり性	蒸発源に対し 直行面には、良く付く		つきまわり性は良い	つきまわり性は良い
膜密度	低温では密度は低い		高密度	高密度
成膜レート	0.1〜50μm/min		0.01〜0.5μm/min	0.1〜50μm/min
コーティング膜外観	光沢〜反光沢		光沢〜艶消し	光沢〜艶消し
膜中のピンホール	低温成膜ではやや多い		少ない	少ない

• Vacuum Deposition Methode
• Sputtering Methode
• RF lon Plating Methode

増反射ミラー、コールドミラーなどの反射鏡

スパッタリング装置